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SI1330EDL-T1-GE3实物图
  • SI1330EDL-T1-GE3商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SI1330EDL-T1-GE3

1个N沟道 耐压:60V 电流:3A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 ESD保护：2000V。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用：P沟道驱动器。 笔记本电脑
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI1330EDL-T1-GE3
商品编号
C727342
商品封装
SC-70-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.0288克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on))50mΩ@3V,0.05A
耗散功率(Pd)200mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)600pC@10V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

数据手册PDF

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