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SIA477EDJT-T1-GE3
P沟道，12 V（D-S）MOSFET
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- 描述
- 特性：沟槽式场效应晶体管第二代P沟道功率MOSFET。 热增强型PowerPAK SC-70封装。 小尺寸。 低导通电阻。 100%栅极电阻测试。 在栅源电压为-1.8V时的导通电阻额定值。应用：智能手机、平板电脑、移动计算。 电池开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIA477EDJT-T1-GE3
- 商品编号
- C727354
- 商品封装
- PowerPAK-SC-70-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.051317克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- TrenchFET第三代P沟道功率MOSFET
- 热增强型PowerPAK SC-70封装
- 占用面积小
- 低导通电阻
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 在栅源电压(VGS)为 -1.8 V时的漏源导通电阻(RDS(on))额定值
- 内置齐纳二极管静电放电(ESD)保护
- 典型静电放电(ESD)性能:3500 V
应用领域
- 智能手机、平板电脑、移动计算设备
- 电池开关
- 充电器开关
- 负载开关
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