SI8466EDB-T2-E1
1个N沟道 耐压:8V 电流:3.6A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI8466EDB-T2-E1
- 商品编号
- C727362
- 商品封装
- UFBGA-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 8V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@4.5V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 780mW；1.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 710pF@4V | |
| 反向传输电容(Crss) | 192pF@4V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）功率MOSFET
- 典型静电放电（ESD）保护：人体模型（HBM）3000 V
- 超小外形尺寸，最大为1 mm x 1 mm
- 超薄设计，最大高度为0.548 mm
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 便携式设备的低导通电阻负载开关
- 低功耗、低压降
- 延长电池使用寿命
- 节省印刷电路板（PCB）空间
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