SI1900DL-T1-GE3
2个N沟道 耐压:30V 电流:630mA 电流:590mA
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1900DL-T1-GE3
- 商品编号
- C727388
- 商品封装
- SOT-363-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 630mA；590mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 480mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW；270mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些新型器件适用于小信号应用，此类应用需要小型化封装，且需要直接或通过电平转换配置来切换低电流（约250 mA）。6引脚版本提供了一系列导通电阻规格。新型6引脚SC - 70封装可实现更低的导通电阻值和更优的热性能。
商品特性
- 符合IEC 61249 - 2 - 21定义的无卤要求
- TrenchFET功率MOSFET
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
-小信号应用
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