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SIB422EDK-T4-GE3实物图
  • SIB422EDK-T4-GE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SIB422EDK-T4-GE3

1个N沟道 耐压:20V 电流:7.1A 电流:9A

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIB422EDK-T4-GE3
商品编号
C727393
商品封装
SC-75-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.024克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)9A;7.1A
导通电阻(RDS(on))30mΩ@4.5V
属性参数值
耗散功率(Pd)2.5W;13W
阈值电压(Vgs(th))400mV
栅极电荷量(Qg)-
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • TrenchFET功率MOSFET,采用热增强型PowerPAK SC-75封装
  • 小尺寸封装
  • 低导通电阻
  • 厚度仅0.75 mm
  • 典型ESD保护能力4000 V
  • 100%进行Rg测试

应用领域

  • 便携式设备
  • 负载开关
  • 电池开关

数据手册PDF