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SI5448DU-T1-GE3实物图
  • SI5448DU-T1-GE3商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SI5448DU-T1-GE3

N沟道40 V（D-S）MOSFET

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描述
特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。 热增强型PowerPAK ChipFET封装。 紧凑的占位面积：小于6.09mm²。 薄型：0.8mm。 比上一代产品的PDS(ON)低56%。应用：DC/DC转换器。 电机驱动控制
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI5448DU-T1-GE3
商品编号
C727407
商品封装
PowerPAK-8​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)15.9A
导通电阻(RDS(on))7.75mΩ@10V,15A
耗散功率(Pd)31W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)12.6nC@10V
输入电容(Ciss)1.765nF@20V
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

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