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SI5448DU-T1-GE3
N沟道40 V（D-S）MOSFET
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。 热增强型PowerPAK ChipFET封装。 紧凑的占位面积：小于6.09mm²。 薄型：0.8mm。 比上一代产品的PDS(ON)低56%。应用：DC/DC转换器。 电机驱动控制
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI5448DU-T1-GE3
- 商品编号
- C727407
- 商品封装
- PowerPAK-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.765nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟道型场效应晶体管(TrenchFET)第四代功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感应开关(UIS)测试
- 热增强型PowerPAK ChipFET封装
- 封装面积紧凑——小于6.09 mm2
- 厚度仅0.8 mm
- 导通电阻(RDS(ON))比上一代产品降低56%
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 直流-直流(DC/DC)转换器
- 电机驱动控制
- 同步整流
- 电池管理
- 负载开关
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