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SI2365EDS-T1-GE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:5.9A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Power MOSFET。 100% Rg 测试。 内置 ESD 保护。 典型 ESD 性能 3000 V。应用：便携式和消费类产品的电源管理。 负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI2365EDS-T1-GE3
- 商品编号
- C727422
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@4.5V,5.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.8nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）功率MOSFET
- 100% Rq测试
- 内置静电放电（ESD）保护
- 典型ESD性能3000 V
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 便携式设备和消费电子产品的电源管理
- 负载开关
- 直流-直流（DC/DC）转换器
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