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SI8802DB-T2-E1
1个N沟道 耐压:8V 电流:3.5A
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- 描述
- 特性：采用TrenchFET功率MOSFET技术。 外形面积小，为0.8mm×0.8mm。 最大高度低，为0.4mm。 导通电阻低。应用：用于低压降负载开关。 用于1.2V、1.5V、1.8V电源线的负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI8802DB-T2-E1
- 商品编号
- C727431
- 商品封装
- XFBGA-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.023克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 8V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 600mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 外形面积小,仅0.8 mm x 0.8 mm
- 最大厚度低至0.4 mm
- 低导通电阻
应用领域
- 低压降负载开关
- 1.2 V、1.5 V、1.8 V电源线负载开关
- 智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器
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