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SIS472DN-T1-GE3实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SIS472DN-T1-GE3

1个N沟道 耐压:30V

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 针对高端同步整流器操作进行优化。 100% Rg测试。 100% UIS测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用：笔记本电脑CPU核心。 高端开关
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIS472DN-T1-GE3
商品编号
C727441
商品封装
PowerPAK1212-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.18克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))8.9mΩ@10V,15A
耗散功率(Pd)3.5W；28W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)997pF@15V
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

数据手册PDF

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(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)
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