- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIA437DJ-T1-GE3
P沟道20V（D-S）MOSFET，采用热增强型PowerPAk SC-70封装，低导通电阻，100% Rg测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIA437DJ-T1-GE3
- 商品编号
- C727462
- 商品封装
- PowerPAK-SC-70-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.051317克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.34nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 305pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
商品特性
- 沟槽场效应晶体管功率MOSFET
- 热增强型PowerPAK SC-70封装
- 占位面积小
- 低导通电阻
- 100%栅极电阻测试
应用领域
- 为智能手机、平板电脑、移动计算设备提供低压降
- 电池开关
- 负载开关
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