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SIHFL110TR-GE3

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIHFL110TR-GE3
商品编号: C727491
商品封装: SOT-223-3
包装方式: 编带
商品毛重: 0.212克(g)

商品参数

商品概述

第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 SOT - 223封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。其独特的封装设计与其他SOT或SOIC封装一样，便于自动拾放，此外，由于散热片的散热片增大，还具有改善热性能的优势。在典型的表面贴装应用中，功率耗散可能超过1.25 W。

商品特性

~~- 表面贴装-提供卷带包装-动态dv/dt额定值-重复雪崩额定值-快速开关-易于并联-驱动要求简单

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	960mA
	导通电阻(RDS(on))	540mΩ@10V,0.9A
	耗散功率(Pd)	3.1W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2V
	栅极电荷量(Qg)	8.3nC@10V
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	15pF@25V
	工作温度	-55℃~+150℃