SI1040X-T1-GE3

Si1040X 在单个 SC-89-6 封装中集成了 P 沟道和 N 沟道 MOSFET。低导通电阻的 P 沟道 TrenchFET 专为用作负载开关而设计。N 沟道 MOSFET 可以通过外部电阻用作电平转换来驱动 P 沟道负载开关。N 沟道 MOSFET 具有内部 ESD 保护，并且可以由低至 1.5 V 的逻辑信号驱动。Si1040X 可在 1.8 V 至 8 V 的电源线上工作，能够驱动高达 0.43 A 的负载。