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SUD50N04-8M8P-4GE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:14A 电流:50A
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- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2 定义。 TrenchFET 功率 MOSFET。 100% UIS 测试。 100% Rg 测试。 PWM 优化，符合 RoHS 指令 2002/95/EC。应用：LCD 显示屏背光逆变器。 DC/DC 转换器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SUD50N04-8M8P-4GE3
- 商品编号
- C727527
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.517克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A；50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.8mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W；48.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 100% 进行了单脉冲雪崩耐量（UIS）测试
- 100% 进行了栅极电阻（Rg）测试
- 脉宽调制（PWM）优化
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 液晶显示器（LCD）背光逆变器
- 直流-直流（DC/DC）转换器
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