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SI2333DS-T1-GE3实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SI2333DS-T1-GE3

1个P沟道 耐压:12V 电流:5.3A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 标准。 TrenchFET 功率 MOSFET。应用：负载开关。 PA 开关
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI2333DS-T1-GE3
商品编号
C727544
商品封装
SOT-23-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.041克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)12V
连续漏极电流(Id)5.3A
导通电阻(RDS(on))32mΩ@4.5V,5.3A
耗散功率(Pd)1.25W
阈值电压(Vgs(th))1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)18nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.1nF@6V
反向传输电容(Crss)300pF@6V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)390pF

数据手册PDF

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