温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQJ476EP-T1_GE3
耐压:100V 电流:23A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：沟道式场效应功率MOSFET。AEC-Q101认证。100%进行Rg和UIS测试。材料分类：如需了解合规性定义，请参阅相关文档
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJ476EP-T1_GE3
- 商品编号
- C727556
- 商品封装
- PowerPAKSO-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.263333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 275pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
相似推荐
其他推荐