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IRLL014TRPBF
1个N沟道 耐压:60V 电流:1.7A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。SOT-223封装设计用于使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装。其独特的封装设计允许像其他SOT或SOIC封装一样轻松自动拾放，但由于用于散热的加大散热片，具有改善热性能的额外优势。在典型的表面贴装应用中，功率耗散可能超过1.25W。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRLL014TRPBF
- 商品编号
- C727579
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 SOT - 223封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。其独特的封装设计使其能像其他SOT或SOIC封装一样便于自动拾放，此外，由于散热片的散热片增大，还具有改善热性能的优势。在典型的表面贴装应用中，功率耗散可能超过1.25 W。
商品特性
- 表面贴装
- 提供卷带包装
- 动态dV/dt额定值
- 逻辑电平栅极驱动
- 在VGS = 4 V和5 V时规定RDS(on)
- 快速开关
- 易于并联