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IRFZ14SPBF

1个N沟道耐压:60V 电流:10A

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: IRFZ14SPBF
商品编号: C727587
商品封装: D2PAK
包装方式: 管装
商品毛重: 1.995克(g)

商品参数

商品概述

第三代功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 D²PAK（TO - 263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX - 4尺寸的芯片。它在现有的任何表面贴装封装中，提供了最高的功率容量和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK（TO - 263）适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0 W的功率。通孔版本（SiHFZ44L）适用于低外形应用。

商品特性

先进的工艺技术
表面贴装（IRFZ14S、SiHFZ14S）
低外形通孔（SiHFZ14L）
175°C工作温度
快速开关

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	10A
	导通电阻(RDS(on))	200mΩ@10V,6A
	耗散功率(Pd)	3.7W；43W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V
	栅极电荷量(Qg)	11nC@10V
	输入电容(Ciss)	300pF@25V
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+175℃@(Tj)