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SI4554DY-T1-GE3实物图
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SI4554DY-T1-GE3

1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:6.8A

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描述
特性：按照IEC 61249-2-21定义为无卤产品。 TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg和UIS测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用：电机驱动
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI4554DY-T1-GE3
商品编号
C727596
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.24708克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)6.8A
导通电阻(RDS(on))24mΩ@10V,6.8A
耗散功率(Pd)-
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.2V
栅极电荷量(Qg)6.5nC@10V
输入电容(Ciss)690pF@20V
反向传输电容(Crss)41pF@20V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

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