- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQJ956EP-T1_GE3
SQJ956EP-T1_GE3
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJ956EP-T1_GE3
- 商品编号
- C727620
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.184402克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.395nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- TrenchFET 功率MOSFET
- 符合AEC-Q101标准
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准,无卤素
- PowerPAK SO-8L双封装
- N沟道MOSFET