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SIR403EDP-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:40A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR403EDP-T1-GE3
- 商品编号
- C727654
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W；56.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 153nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.62nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 820pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 适用于适配器开关应用的扩展 VGS 范围(\pm 25V)
- 极低的 RDS(on)
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率 MOSFET
- 100% 进行 Rg 和 UIS 测试
- 典型 ESD 性能:4000V(HBM)
- 符合 RoHS 标准
- 无卤
应用领域
- 适配器开关、负载开关
- 电源管理
- 笔记本电脑和便携式电池组
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