温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SISA66DN-T1-GE3

1个N沟道耐压:30V 电流:40A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

私有库下单最高享92折

品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SISA66DN-T1-GE3
商品编号: C727669
商品封装: PowerPAK1212-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.107克(g)

商品参数

商品概述

N沟道30 V（D-S）MOSFET，TrenchFET第四代功率MOSFET。PowerPAK 1212-8是PowerPAK SO-8的衍生产品，采用相同封装技术，可最大化芯片面积。芯片附着垫底部外露，为安装设备的基板提供直接、低电阻的热路径，将PowerPAK SO-8的优势融入更小的封装中，具备相同的热性能水平。其占地面积与TSOP-6相当，比标准TSSOP-8小40%以上，芯片容量是标准TSOP-6的两倍多，热性能比SO-8好一个数量级，比TSSOP-8好20倍，能利用任何PC板散热器的能力，与TSSOP-8相比，可降低结温并提高芯片效率约20%。单双版本的PowerPAK 1212-8与单双PowerPAK SO-8采用相同引脚输出，1.05 mm的低高度使其成为空间受限应用的理想选择。

商品特性

TrenchFET第四代功率MOSFET
100%进行Rg和UIS测试

应用领域

个人电脑和服务器
电压调节模块(VRM)和负载点(POL)
同步降压转换器
同步整流
高功率密度DC/DC

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	29.8A
	导通电阻(RDS(on))	2.3mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	3.7W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.2V
	栅极电荷量(Qg)	66nC@10V
	输入电容(Ciss)	3.014nF
	反向传输电容(Crss)	62pF
	工作温度	-55℃~+150℃