SIHFL9014TR-GE3
SIHFL9014TR-GE3
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHFL9014TR-GE3
- 商品编号
- C727689
- 商品封装
- SOT-223-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
Vishay的第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 SOT - 223封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。其独特的封装设计使其能像其他SOT或SOIC封装一样便于自动拾放，此外，由于散热片的散热片增大，还具有改善热性能的优势。在典型的表面贴装应用中，功率耗散可能超过1.25 W。
商品特性
~~- 表面贴装-提供卷带包装-动态dv/dt额定值-重复雪崩额定值-P沟道-快速开关-易于并联