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SISS27ADN-T1-GE3实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SISS27ADN-T1-GE3

1个P沟道 耐压:30V 电流:24.3A

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描述
特性：RoHS 合规，无卤。 TrenchFET Gen III p 沟道功率 MOSFET。 低热阻 PowerPAK 封装，尺寸小，厚度为 0.75mm。 100% Rg 和 UIS 测试。应用：移动设备中的电池管理。 适配器和充电器开关
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SISS27ADN-T1-GE3
商品编号
C727716
商品封装
PowerPAK1212-8S​
包装方式
编带
商品毛重
0.08克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)24.3A
导通电阻(RDS(on))5.1mΩ@10V,
耗散功率(Pd)4.8W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.2V
栅极电荷量(Qg)55nC@15V
输入电容(Ciss)4.66nF@15V
反向传输电容(Crss)117pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

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