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SIS990DN-T1-GE3
耐压:100V 电流:4.1A
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- 描述
- PowerPAK 1212-8 封装是 PowerPAK SO-8 封装的派生产品。它采用相同的封装技术，最大限度地增大了芯片面积。芯片粘贴焊盘底部外露，为器件所安装的基板提供了直接的低电阻散热路径
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS990DN-T1-GE3
- 商品编号
- C727720
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.3nC@7.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.2pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 73pF |
商品概述
Dual N-Channel 100 V (D-S) MOSFET，PowerPAK 1212-8是PowerPAK SO-8的衍生产品，采用相同封装技术，最大化芯片面积。芯片附着垫底部暴露，为安装器件的基板提供直接、低电阻的热路径，将PowerPAK SO-8的优势转化到更小的封装中，具有相同的热性能水平。其占位面积与TSOP-6相当，比标准TSSOP-8小40%以上，芯片容量是标准TSOP-6的两倍多，热性能比SO-8好一个数量级，比TSSOP-8好20倍，能利用任何PC板散热器能力，与TSSOP-8相比，可使结温降低，芯片效率提高约20%。单双版本的PowerPAK 1212-8引脚排列与单双版本的PowerPAK SO-8相同，1.05 mm的低高度轮廓使其成为空间受限应用的理想选择。
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
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