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SI9407BDY-T1-E3
1个P沟道 耐压:60V 电流:4.7A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% UIS测试。应用：初级侧开关。 P沟道MOSFET
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI9407BDY-T1-E3
- 商品编号
- C727736
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行了非钳位感性开关(UIS)测试
应用领域
- 初级侧开关
- SQJB60EP-T2_GE3
- IRF510STRLPBF
- IRF510STRRPBF
- IRFI9Z14GPBF
- IRFIZ14GPBF
- IRFR9220TRRPBF
- IRFU320PBF
- SIR410DP-T1-GE3
- SI3440DV-T1-E3
- SQJB40EP-T1_GE3
- SQJB42EP-T1_GE3
- SQJB80EP-T1_GE3
- SIRA58DP-T1-GE3
- SIRA72DP-T1-GE3
- SQJ202EP-T1_GE3
- SQJA02EP-T1_GE3
- SQJA20EP-T1_GE3
- DG2525DN-T1-GE4
- SIP32101DB-T1-GE1
- SIP32103DB-T1-GE1
- SIP32104DB-T1-GE1