- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQJB60EP-T2_GE3
SQJB60EP-T2_GE3
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJB60EP-T2_GE3
- 商品编号
- C727737
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.184402克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
- N沟道MOSFET
- IRF510STRLPBF
- IRF510STRRPBF
- IRFI9Z14GPBF
- IRFIZ14GPBF
- IRFR9220TRRPBF
- IRFU320PBF
- SIR410DP-T1-GE3
- SI3440DV-T1-E3
- SQJB40EP-T1_GE3
- SQJB42EP-T1_GE3
- SQJB80EP-T1_GE3
- SIRA58DP-T1-GE3
- SIRA72DP-T1-GE3
- SQJ202EP-T1_GE3
- SQJA02EP-T1_GE3
- SQJA20EP-T1_GE3
- SIHD5N50D-E3
- DG2525DN-T1-GE4
- SIP32101DB-T1-GE1
- SIP32103DB-T1-GE1
- SIP32104DB-T1-GE1