温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI3430DV-T1-E3
SI3430DV-T1-E3
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI3430DV-T1-E3
- 商品编号
- C727732
- 商品封装
- TSOP-6-1.5mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 高效PWM优化
- 100%栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
- 提供N沟道MOSFET
相似推荐
其他推荐