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SI5504BDC-T1-E3

N沟道和P沟道30 V（D-S）MOSFET

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描述: 特性：TrenchFET功率MOSFET。应用：DC/DC便携式应用。负载开关
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SI5504BDC-T1-E3
商品编号: C727747
商品封装: SMD-8P,3.2x1.6mm
包装方式: 编带
商品毛重: 0.25克(g)

商品参数

商品概述

采用无引脚1206 - 8封装的新型威世硅尼克斯ChipFET与常见的1206 - 8电阻器和电容器外形相同，但具备真正功率半导体器件的所有性能。1206 - 8 ChipFET与LITTLE FOOT® TSOP - 6的主体占位面积相同，从可视化电路板面积的角度来看，可将其视为无引脚的TSOP - 6，但它的热性能可与大得多的SO - 8相媲美。

商品特性

-TrenchFET®功率MOSFET

应用领域

-便携式应用的DC/DC转换器-负载开关

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道+1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	4A；3.7A
	导通电阻(RDS(on))	65mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	-
	阈值电压(Vgs(th))	-

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	4.5nC@10V；4.5nC@10V
	输入电容(Ciss)	220pF；170pF
	反向传输电容(Crss)	25pF；31pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道+P沟道
	输出电容(Coss)	50pF；50pF