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SI5504BDC-T1-E3
N沟道和P沟道30 V（D-S）MOSFET
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。应用：DC/DC便携式应用。 负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI5504BDC-T1-E3
- 商品编号
- C727747
- 商品封装
- SMD-8P,3.2x1.6mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A；3.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC@10V；4.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 220pF；170pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF；31pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF；50pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
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