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SI9435BDY-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:5.7A
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- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。TrenchFET功率MOSFET。符合RoHS指令2002/95/EC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI9435BDY-T1-GE3
- 商品编号
- C727765
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2452克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V,5.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）功率 MOSFET
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC