- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 490pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 低栅极电荷Qg,驱动要求简单
- 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性
- 全面表征了电容、雪崩电压和电流
- 规定了有效输出电容Coss
- 符合RoHS标准
- 可提供无卤产品
应用领域
- 开关模式电源(SMPS)
- 不间断电源
- 高速功率开关