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IRFR1N60ATRPBF实物图
  • IRFR1N60ATRPBF商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRFR1N60ATRPBF

1个N沟道 耐压:600V

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描述
特性:低栅极电荷 Qg 导致简单的驱动要求。改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 坚固性。完全表征的电容、雪崩电压和电流。应用:开关模式电源 (SMPS)。不间断电源
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
IRFR1N60ATRPBF
商品编号
C727796
商品封装
DPAK​
包装方式
编带
商品毛重
0.517克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)1.4A
导通电阻(RDS(on))7Ω@10V,0.84A
耗散功率(Pd)36W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)14nC@10V
输入电容(Ciss)229pF
反向传输电容(Crss)2.4pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)32.6pF

数据手册PDF

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(2000个/圆盘,最小起订量 1 个)
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