我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
立创商城logo
购物车0
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
SI4156DY-T1-GE3实物图
  • SI4156DY-T1-GE3商品缩略图
  • SI4156DY-T1-GE3商品缩略图
  • SI4156DY-T1-GE3商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SI4156DY-T1-GE3

1个N沟道 耐压:30V

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg测试。 100%进行UIS测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用：DC/DC转换器。 笔记本Vcore
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI4156DY-T1-GE3
商品编号
C727814
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.25284克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))6mΩ@10V,15.7A
耗散功率(Pd)3.8W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.2V
栅极电荷量(Qg)12nC@10V
输入电容(Ciss)1.7nF@15V
反向传输电容(Crss)140pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

放大查看下载PDF

优惠活动

  • 7.7折

    购买数量

    (2500个/圆盘，最小起订量 1 个)
    个
    起订量：1 个2500个/圆盘

    总价金额：

    ￥ 0.00

    近期成交2单