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SI7655DN-T1-GE3
耐压:20V 电流:31A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 低热阻。 采用小尺寸和0.75mm低外形的PowerPAK封装。 100%进行Rg和UIS测试。应用：智能手机。 平板电脑
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7655DN-T1-GE3
- 商品编号
- C727830
- 商品封装
- SMD
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.116克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 930pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 低热阻PowerPAK封装,尺寸小,厚度低至0.75 mm
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
-智能手机、平板电脑、移动计算设备-电池开关-负载开关