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IRF630PBF
1个N沟道 耐压:200V 电流:5.7A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220AB封装在功率耗散水平约为50W的所有商业-工业应用中普遍受到青睐。TO-220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRF630PBF
- 商品编号
- C727839
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V,5.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 74W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 TO - 220AB封装在所有商用 - 工业应用中普遍受到青睐，其功率耗散水平约为50瓦。TO - 220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛认可。
商品特性
~~- 动态dv/dt额定值-重复雪崩额定值-快速开关-易于并联-驱动要求简单-符合2002/95/EC号RoHS指令