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SIRC18DP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIRC18DP-T1-GE3
- 商品编号
- C727847
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.248克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 111nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.06nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 350pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 集成单片肖特基二极管的SkyFET
- 优化的RDS × Qg和RDS × Qgd品质因数,提高高频开关效率
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 同步降压
- 同步整流
- DC/DC转换
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