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SI4483ADY-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:13.5A
- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 100% Rq测试。 100% UIS测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用：适配器开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4483ADY-T1-GE3
- 商品编号
- C727843
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.35克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.8mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 44.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.9nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 645pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 715pF |
交货周期
订货1-3个工作日购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 15 个)个
起订量：15 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交4单