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IRF520SPBF实物图
  • IRF520SPBF商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF520SPBF

1个N沟道 耐压:100V 电流:9.2A

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描述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。D2PAK (TO-263)是一种表面贴装功率封装,能够容纳高达HEX-4的芯片尺寸。它在任何现有的表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其较低的内部连接电阻,D2PAK (TO-263)适用于大电流应用,并且在典型的表面贴装应用中可以耗散高达2.0W的功率。
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
IRF520SPBF
商品编号
C727833
商品封装
D2PAK(TO-263)​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)9.2A
导通电阻(RDS(on))270mΩ@10V,5.5A
耗散功率(Pd)60W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)16nC@10V
输入电容(Ciss)360pF
反向传输电容(Crss)34pF
工作温度-55℃~+175℃

数据手册PDF

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(1000个/管,最小起订量 1 个)
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