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IRF9510PBF
1个P沟道 耐压:100V 电流:2.8A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220AB封装普遍适用于所有功率耗散水平约为50W的商业-工业应用。TO-220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRF9510PBF
- 商品编号
- C727836
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.798克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V,2.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 43W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 200pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 94pF |
优惠活动
购买数量
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