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SI7308DN-T1-GE3
耐压:60V 电流:6A
- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 标准。 TrenchFET 功率 MOSFET。 低热阻，采用 PowerAKP 封装，尺寸小，高度仅 1.07 mm。应用：CCFL 逆变器。 D 类放大器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7308DN-T1-GE3
- 商品编号
- C727827
- 商品封装
- SMD
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.077克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 58mΩ@10V,5.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 12.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 665pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
N沟道60V（D-S）MOSFET；PowerPAK 1212-8是PowerPAK SO-8的衍生产品，采用相同封装技术，可最大化芯片面积，芯片附着垫底部暴露，为安装设备的基板提供直接、低电阻的热路径，将PowerPAK SO-8的优势转化为更小的封装，具有相同水平的热性能；其占地面积与TSOP-6相当，比标准TSSOP-8小40%以上，芯片容量是标准TSOP-6的两倍多，热性能比SO-8好一个数量级，比TSSOP-8好20倍，能利用任何PCB板散热器能力，与TSSOP-8相比，可使结温降低约20%，提高芯片效率；单双版本PowerPAK 1212-8与单双PowerPAK SO-8采用相同引脚输出，1.05mm的低高度使其适合空间受限的应用。
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21标准的无卤产品可供选择
- TrenchFET功率MOSFET
- 低热阻、小尺寸、1.07mm低外形的PowerPAK封装
应用领域
- 冷阴极荧光灯管（CCFL）逆变器
- D类放大器