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IRFD9020PBF
耐压:60V 电流:1.1A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。4引脚DIP封装是一种低成本、可机器插入的封装形式，可在标准0.1英寸引脚中心上进行多种组合堆叠。双漏极可作为与安装表面的热连接，功率耗散最高可达1 W
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFD9020PBF
- 商品编号
- C727829
- 商品封装
- HVMDIP-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC | |
| 输入电容(Ciss) | 570pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 360pF |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 4引脚DIP封装是一种低成本的机器可插入式封装样式，可在标准0.1英寸引脚间距上进行多种组合堆叠。双漏极可作为与安装表面的热连接，功率耗散水平可达1 W。
商品特性
- 动态dV/dt额定值
- 重复雪崩额定值
- 适用于自动插入
- 端部可堆叠
- P沟道
- 175°C工作温度
- 快速开关