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SI5908DC-T1-E3
2个N沟道 耐压:20V 电流:5.9A
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- 描述
- 推出的新型无引脚 1206 - 8 封装 ChipFET 与常见的 1206 - 8 电阻器和电容器外形相同，但具备真正功率半导体器件的所有性能。1206 - 8 ChipFET 与 LITTLE FOOT @ TSOP - 6 的主体占位面积相同，从电路板面积规划角度来看，可将其视为无引脚的 TSOP - 6，但它的散热性能可与大得多的 SO - 8 封装相媲美。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI5908DC-T1-E3
- 商品编号
- C727844
- 商品封装
- SMD-8P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.023克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用无引脚1206 - 8封装的新型ChipFET与常用的1206 - 8电阻器和电容器外形相同，但具备真正功率半导体器件的所有性能。1206 - 8 ChipFET与LITTLE FOOT TSOP - 6的主体占位面积相同，从电路板面积可视化的角度来看，可以将其视为无引脚的TSOP - 6，但其热性能可与大得多的SO - 8相媲美。
商品特性
- 根据IEC 61249 - 2 - 21定义为无卤产品
- TrenchFET功率MOSFET
- 超低压降电阻(RDS(on)),在紧凑占位面积下具备出色的功率处理能力
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 负载开关
- 功率放大器开关
- 电池开关