SI4670DY-T1-GE3
2个N沟道 耐压:25V 电流:8A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4670DY-T1-GE3
- 商品编号
- C727826
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.248克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 针对PWM进行优化
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 同步降压转换器
- 游戏机
- 笔记本电脑