SIHFU9220-GE3
1个P沟道 耐压:200V 电流:3.6A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHFU9220-GE3
- 商品编号
- C727816
- 商品封装
- TO-251-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.5W；42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
第三代功率MOSFET技术是先进功率MOSFET晶体管产品线的关键。功率MOSFET设计采用高效的几何结构和独特的工艺，实现了极低的导通电阻，同时具备高跨导和出色的器件耐用性。 DPAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本（IRFU、SiHFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5 W。
商品特性
- 动态dV/dt额定值
- 重复雪崩额定值
- 表面贴装(IRFR9220、SiHFR9220)
- 直引脚(IRFUFU9220、SiHFU9220)
- 提供卷带包装
- P沟道
- 快速开关