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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRFR9310PBF

P沟道功率MOSFET

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描述
第三代功率MOSFET采用先进的加工技术,以实现每个硅面积的低导通电阻。结合功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。DPAK专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。直引脚版本(IRFU/SiHFU系列)适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功率耗散水平可达1.5W。
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
IRFR9310PBF
商品编号
C727773
商品封装
DPAK(TO-252)​
包装方式
管装
商品毛重
0.84克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)400V
连续漏极电流(Id)1.1A
导通电阻(RDS(on))7Ω@10V
耗散功率(Pd)50W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)13nC@10V
输入电容(Ciss)270pF
反向传输电容(Crss)8pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型P沟道
输出电容(Coss)50pF

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(75个/管,最小起订量 1 个)
起订量:1 个75个/管

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