IRFR9310PBF
P沟道功率MOSFET
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- 描述
- 第三代功率MOSFET采用先进的加工技术,以实现每个硅面积的低导通电阻。结合功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。DPAK专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。直引脚版本(IRFU/SiHFU系列)适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功率耗散水平可达1.5W。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFR9310PBF
- 商品编号
- C727773
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.84克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 270pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
优惠活动
购买数量
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起订量:1 个75个/管
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