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SI3499DV-T1-GE3
耐压:8V 电流:7A
- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。TrenchFET功率MOSFET，额定电压1.5V。超低导通电阻。100%进行Rg测试。符合RoHS指令2002/95/EC。应用：便携式设备的负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI3499DV-T1-GE3
- 商品编号
- C727782
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04473克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 8V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@4.5V,7A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.8pF@4V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
交货周期
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