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SI7309DN-T1-GE3
1个P沟道 耐压:60V 电流:8A
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- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 标准。 TrenchFET 功率 MOSFET。 低热阻。 PowerPAK 封装，尺寸小，高度仅 1.07mm。应用：CCFL 逆变器。 D 类放大器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7309DN-T1-GE3
- 商品编号
- C727725
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.29克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@10V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@30V | |
| 工作温度 | - |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 低热阻 PowerPAK 封装，尺寸小，高度仅 1.07 mm
应用领域
- 冷阴极荧光灯管（CCFL）逆变器
- D 类放大器
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