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SIRA32DP-T1-RE3
1个N沟道 耐压:25V 电流:185A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 优化Qg、Qgd和Qgd/Qgs比率，降低开关相关功率损耗。 100% Rg和UIS测试。应用：同步整流。 高功率密度DC/DC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIRA32DP-T1-RE3
- 商品编号
- C727723
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 185A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 65.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.45nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 206pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.32nF |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个3000个/圆盘
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