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SI6968BEDQ-T1-GE3
2个N沟道 耐压:20V 电流:6.5A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET具备3000V ESD保护
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI6968BEDQ-T1-GE3
- 商品编号
- C727724
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V,6.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 静电防护：3000 V
- 符合RoHS标准
应用领域
- 新型小尺寸磁盘驱动器-计算机-手机
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