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IRFR320PBF实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRFR320PBF

1个N沟道 耐压:400V 电流:3.1A

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描述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。DPAK专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。直插式版本适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功率耗散水平可达1.5 W。
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
IRFR320PBF
商品编号
C727709
商品封装
DPAK(TO-252)​
包装方式
管装
商品毛重
0.63克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)400V
连续漏极电流(Id)3.1A
导通电阻(RDS(on))1.8Ω@10V,1.9A
耗散功率(Pd)42W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)20nC@10V
输入电容(Ciss)350pF
反向传输电容(Crss)47pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

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