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SI8409DB-T1-E1
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.6A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI8409DB-T1-E1
- 商品编号
- C727697
- 商品封装
- XFBGA-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.77W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
Vishay Siliconix的MICRO FOOT产品系列基于晶圆级芯片尺寸封装（WL-CSP）技术，该技术采用焊球工艺，无需外部封装来包裹硅芯片。MICRO FOOT产品包括功率MOSFET、模拟开关和功率IC。 对于电池供电的紧凑型设备，这种新的封装技术减少了电路板空间需求，提高了热性能，并减轻了有引脚封装产品常见的寄生效应。 Vishay Siliconix的MICRO FOOT产品可以采用与封装表面贴装器件大批量组装相同的工艺技术进行处理。只要适当注意PCB和模板设计，该器件无需底部填充即可实现可靠性能。该器件占用空间小且热路径短的优势使其成为便携式设备（如电池组、个人数字助理、手机和笔记本电脑）等空间受限应用的理想选择。
商品特性
- TrenchFET®功率MOSFET
- MICRO FOOT®芯片级封装减小了占位面积轮廓(0.62 mm)和单位占位面积的导通电阻
- 引脚与行业标准Si8401DB兼容
应用领域
-便携式设备的负载开关、电池开关和功率放大器开关